集电极漏电流ICBO VCB=60V,IE=0 100 nA

　　发射极漏电流IEBO VBE=5V,IC=0 100 nA

　　集电极、发射极击穿电压BVCEO IC=1mA,IB=0 50 V

　　发射极、基极击穿电压BVEBO IE=10μA,IC=0 5 V

　　集电极、基极击穿电压BVCBO IC=100μA,IE=0 60 V

　　集电极、发射极饱和压降VCE(sat

　　)

　　IC=100mA,IB=10mA 0.25 V

　　基极、发射极饱和压降VBE(sat

　　)

　　IC=100mA,IB=10mA 1.0 V

　　直流电流增益HFE1 VCE=6V,IC=2mA 120 700

　　HFE2 VCE=6V,IC=150mA 25

　　参数符号标称值单位

　　集电极、基极击穿电压VCBO 60 V

　　集电极、发射极击穿电压VCEO 50 V

　　发射极、基极击穿电压VEBO 5 V

　　集电极电流IC 150 mA

　　集电极功率PC 625 mW

　　结温TJ 150 ℃

　　贮存温TSTG -55-150 ℃

　　6发射

　　△电参数（Ta=25℃）