一、装的内容不同

　　1、DMOS：DMOS里面装有系统的重要信息和设置系统参数的设置程序。

　　2、CMOS：CMOS里面装的是关于系统配置的具体参数，其内容可通过设置程序进行读写。

　　二、材料不同

　　1、DMOS：DMOS是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的半导体场效应管。

　　2、CMOS：CMOS是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。

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　　三、优点不同

　　1、DMOS：DMOS有高电流驱动能力、低Rds导通电阻和高击穿电压等。

　　2、CMOS：CMOS允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计；逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强；静态功耗低。

　　DMOS 和 CMOS 是两种 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）器件结构，主要区别在于它们的建立方式和用途。

　　1. 建立方式不同：DMOS 是 Double-diffusion MOS（双扩散型MOS），指的是通过两次扩散形成 pn 结的方法来建立 MOSFET 结构，具有 drain 和 source 两个扩散区；而 CMOS 是 Complementary MOS（互补型MOS), 由 N 型 MOS 和 P 型 MOS 两种不同类型的 MOSFET 组成，相互补充以形成逻辑电路单元。

　　2. 用途不同：DMOS 主要用于低压和大电流的应用领域（如电源管理、模拟控制和马达控制等）；而 CMOS 主要用于数字电路和微处理器等领域，具有低功耗、高速率和较高的噪音抗干扰能力等优势。

　　3. 特点不同：DMOS 具有较高的导通电阻和较低的开关速率，其阈值电压较低，与多晶硅技术兼容；而 CMOS 具有较低的静态功耗、较好的抗干扰能力和较高的开关速率，能够发挥 VLSI（大规模集成电路）的潜力。

　　综上所述，DMOS 和 CMOS 在建立方式、用途和特点等方面有很大的差异，各自适用于不同的应用领域。

　　DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的，LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。