答：

　　9N18场效应管是N沟道MOS场效应管，主要参数为：

　　 VDSS 25 V；ID(DC) ±48 A；ID(pulse) ±192 A；PT1 29 W。

　　 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。